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·公司正式量产192GB的年夜容量产物，面向英伟达Vera Rubin平台设计·搭载基在1c纳米工艺的高集成度DRAM，实现能效最年夜化·“经由过程与英伟达合作无懈，减缓AI基础举措措施的瓶颈问题，提供最优机能”

2026年4月20日，SK海力士公布，公司正式量产基在第六代10纳米级（1c）LPDDR5X低功耗DRAM的192GB（千兆字节）容量SOCAMM2产物。

SOCAMM2*是一款将重要合用在智能手机等挪动端装备的低功耗内存，针对于办事器情况举行优化的内存模块，重要面向下一代AI办事器等运用场景。

SK海力士暗示：“公司采用1c工艺的SOCAMM2，是专为高机能AI运算优化的解决方案。与传统的RDIMM*比拟，其带宽晋升逾两倍，功耗降低75%以上。”

公司尤其夸大，该SOCAMM2产物是面向英伟达的Vera Rubin*平台设计的。

此外，该产物可从底子上减缓数千亿参数级AI年夜模子于练习与推理历程中所面对的存储瓶颈*问题，SK海力士期待其助力可以或许年夜幅晋升总体体系的处置惩罚速率。

公司还有暗示：“跟着AI成长从练习转向推理阶段，撑持年夜型语言模子低功耗运行的SOCAMM2作为下一代存储器解决方案，正备受瞩目。为满意全世界云办事供给商（Cloud Service Provider）客户需求，公司提早搭建起不变的量产系统。”

SK海力士AI Infra担任金柱善社长（CMO，Chief Marketing Officer）暗示：“经由过程192GB容量SOCAMM2的产物供给，公司成立了面向AI的存储器机能新基准。公司将与全世界AI客户合作无懈，成为‘客户最相信的面向AI的存储器解决方案企业’。”

* SOCAMM2（Small Outline Compression Attached Memory Module 2）：一种基在低功耗DRAM的内存模块，具有厚度薄与可扩大性等特征，尤其合用在AI办事器。该产物采用压缩式毗连器，可晋升旌旗灯号完备性且易在改换。

* 寄放双列直插式内存模块（RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module）：于存储器模块的内存节制器与DRAM芯片之间增长可中继地址、号令旌旗灯号的寄放器（Register）或者时钟缓冲器（Buffer），合用在办事器及事情站的DRAM模块。

* 英伟达Vera-Rubin先容网页：https://www.nvidia.com/en-us/data-center/technologies/rubin/

* 瓶颈（Bottleneck）：指因某些特定零部件的处置惩罚能力受限，致使整个体系机能降落的征象。AI运算历程中，若存储器的数据传输速率滞后在GPU运算速率，便会激发此征象。